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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2004-06-10
公开（公告）日：2005-10-05
公开（公告）号：CN2731711Y
专利技术分类：.用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置[2006.01]
专利摘要：一种铜金属镶嵌结构，先在基材上依序形成介电层与蚀刻终止层，再于介电层与蚀刻终止层中形成金属插塞。接着，形成另一介电层于蚀刻终止层上，定义出后续形成铜金属层的开口结构。随后，形成介电阻障层于开口中，并利用回蚀刻将开口底部的部分介电阻障去除，以暴露出金属插塞。再形成铜金属层于开口中。上述制程于开口中暴露金属插塞的同时，暴露出蚀刻终止层。因此，此结构中的铜金属与金属插塞以及蚀刻终止层接触，而不会与介电层接触，所以可改善铜金属的扩散现象。
专利权项：1.一种铜金属镶嵌结构，其特征在于，该结构至少包括：一基材；一位于该基材上的第一介电层；一位于该第一介电层上的沉积层；至少一位于该沉积层与该第一介电层中的金属插塞；一位于该沉积层上的第二介电层；至少一位于该第二介电层中的铜金属层，该铜金属层的底部与该金属插塞接触；以及一位于该铜金属层的两侧侧壁的阻障层。
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 铜金属镶嵌结构
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