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申请/专利权人：惠普发展公司，有限责任合伙企业
申请日：2010-07-02
公开（公告）日：2013-03-20
公开（公告）号：CN102986034A
专利技术分类：......薄膜晶体管[2006.01]
专利摘要：薄膜晶体管10，10’，其包括栅电极14、布置在该栅电极14上的栅电介质16、通道层18和钝化层24。该通道层18具有第一表面SF和相对的第二表面SB，其中该第一表面SF布置在栅电介质16的至少一部分上。该通道层18还具有包含至少一种预定的阳离子的第一氧化物组合物。该钝化层24邻接通道层18的所述相对的第二表面SB的至少一部分布置。钝化层24具有第二氧化物组合物，该第二氧化物组合物包括第一氧化物组合物的所述至少一种预定的阳离子和至少一种另外的阳离子，该另外的阳离子提高了钝化层24相对于通道层18的带隙。
专利权项：薄膜晶体管10，10’，其包括：栅电极14；布置在该栅电极14上的栅电介质16；通道层18，其具有第一表面SF和相对的第二表面SB，该第一表面SF布置在栅电介质16的至少一部分上，该通道层18具有包含至少一种预定的阳离子的第一氧化物组合物；和钝化层24，其邻接通道层18的所述相对的第二表面SB的至少一部分布置，该钝化层24包含第二氧化物组合物，该第二氧化物组合物包含所述第一氧化物组合物的所述至少一种预定的阳离子和至少一种另外的阳离子，该另外的阳离子提高了钝化层24相对于通道层18的带隙。
百度查询： 惠普发展公司，有限责任合伙企业 薄膜晶体管
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