龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：NEC液晶技术株式会社
申请日：2010-07-29
公开（公告）日：2011-03-23
公开（公告）号：CN101989619A
专利技术分类：......薄膜晶体管[2006.01]
专利摘要：薄膜晶体管TFT基底包括在相同基底上的第一和第二TFT。第一TFT具有这样的特征，从而在基底和第一绝缘层之间设有下导电层或底部栅极电极层，而在形成在位于第一绝缘层上的半导体层上的第二绝缘层上设有上导电层或顶部栅极电极层。第一导电层具有第一和第二区域，从而第一区域在不与半导体层重叠的情况下与所述第一导电层重叠，而第二区域与半导体层重叠，并且第一区域大于第二区域，而第二绝缘层比第一绝缘层更薄。除了没有栅极电极层之外，第二TFT具有与第一TFT相同的结构。
专利权项：一种薄膜晶体管，包括：形成在绝缘基底上的第一绝缘层；形成在所述第一绝缘层上的第一半导体层；形成在所述第一半导体层上的第二绝缘层；设置在所述绝缘基底和所述第一绝缘层之间的第一导电层；以及形成在所述第二绝缘层上的具有浮动状态的第二导电层，所述第二导电层包括第一区域和第二区域，从而所述第一区域为与所述第一半导体层重叠的顶部栅极电极区域，而所述第二区域为在没有与所述第一半导体层重叠的区域中与所述第一导电层重叠的电容耦合区域，并且使所述第二区域的尺寸比所述第一区域的尺寸更大，从而在所述第二导电层处的电位接近在所述第一导电层处的电位或大约为在所述第一导电层处的电位。
百度查询： NEC液晶技术株式会社 薄膜晶体管基底和用于薄膜晶体管基底的薄膜晶体管
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号