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申请/专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日：2013-10-17
公开（公告）日：2017-09-05
公开（公告）号：CN104425623B
专利技术分类：......薄膜晶体管[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管，包含栅极、源极、漏极、栅绝缘层以及氧化物半导体层。氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物，其化学式为InxGayZnzOw，其中x、y及z满足数学式：1.5≤yx≤2以及1.5≤yz≤2。栅绝缘层位于栅极与氧化物半导体层之间。源极和漏极分别连接氧化物半导体层的不同两侧。
专利权项：一种薄膜晶体管，其特征在于，包含：氧化物半导体层，包含铟镓锌氧化物，其以化学式InxGayZnzOw表示，其中x、y、z及w分别表示铟、镓、锌及氧的原子数比，且x、y及z满足以下数学式：1.5≤yx≤2以及1.5≤yz≤2；栅极；栅绝缘层，其位于上述栅极与上述氧化物半导体层之间；以及源极及漏极，其分别连接上述氧化物半导体层的不同两侧。
百度查询： 元太科技工业股份有限公司 薄膜晶体管
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