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申请/专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日：2003-03-06
公开（公告）日：2008-04-16
公开（公告）号：CN100381932C
专利技术分类：......其中开关元件为三电极装置[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种可抑制特性参差的薄膜晶体管。其具有：夹着SiO2膜所构成的基底绝缘膜3而设在玻璃基板2上的Si所形成的半导体层4；设在半导体层4中两侧的源极区域8与漏极区域9；在半导体层4中的源极区域8与漏极区域9之间的沟道区域10；夹着SiO2膜所构成的栅极绝缘膜6而设在沟道区域10上的栅极电极7，其特征为：沟道区域10的宽度为1μm或更小，至少由栅极电极7所覆盖的沟道区域10的沟道宽度方向WD的端部5的斜面角在60度以上。
专利权项：1.一种薄膜晶体管，具有：形成在基板上并具有通过刻蚀形成的倾斜部分的多结晶或非晶质的半导体层；形成在所述多结晶或非晶质的半导体层两侧的源极区域与漏极区域；形成在所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域；以及夹着栅极绝缘膜形成在所述沟道区域上的栅极电极；其特征在于，所述沟道区域的宽度为1μm或更小，所述倾斜部分在所述沟道区域的沟道宽度方向上的斜面角为60度或更大，以使得所述倾斜部分不会改变阈值电压Vth。
百度查询： 株式会社液晶先端技术开发中心 薄膜晶体管
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