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申请/专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日：2014-09-26
公开（公告）日：2016-10-05
公开（公告）号：CN105993073A
专利技术分类：.....有绝缘栅场效应晶体管的组件[2006.01]
专利摘要：在所描述的示例中，一种具有垂直漏极延伸MOS晶体管110的半导体器件100可以通过形成深沟槽结构104以定义晶体管110的至少一个垂直漂移区108而形成，使得每个垂直漂移区108在至少两个对侧上被深沟槽结构104限制。深沟槽结构104被间隔开以形成漂移区108的RESURF区域。沟槽栅极114被形成在衬底102中的沟槽内并位于垂直漂移区108上方。本体区118位于衬底102内并在垂直偏移区108上方。
专利权项：一种半导体器件，其包括：衬底，其包括具有第一导电类型的半导体；以及垂直漏极延伸金属氧化物半导体晶体管即垂直漏极延伸MOS晶体管，其包括：设置在所述衬底中的至少一微米深的多个深沟槽结构，其具有与所述衬底邻接的介电衬层；垂直定向漂移区，其具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，其被设置在所述衬底中与所述深沟槽结构邻接并在至少两个对侧上被所述深沟槽结构限制；在栅极介电层上的至少一个沟槽栅极，其被设置在所述衬底中的栅极沟槽内并位于所述垂直定向漂移区上方；以及具有所述第一导电类型的本体区，其被设置在垂直定向漂移区上方并与所述栅极介电层接触。
百度查询： 德克萨斯仪器股份有限公司 沟槽栅极沟槽场板垂直MOSFET
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