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申请/专利权人：中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
申请日：2018-10-23
公开（公告）日：2019-05-21
公开（公告）号：CN208889606U
专利技术分类：...轨迹稳定型分光仪，如单极的、四极的、多极的、线振质谱仪型的[2006.01]
专利摘要：本实用新型公开了一种离子阱用基座、离子阱，离子阱用基座，该基座用于双曲面线性离子阱，所述基座包括基座本体及设置在基座本体上的通孔，所述通孔为圆形孔；还包括设置于所述通孔孔壁上的槽体，所述槽体的数量为四条，且槽体均为长度方向沿着所述通孔轴线方向的条形槽，且四条槽体环形均布于所述孔壁上；各槽体均贯通基座本体的两端。所述双曲面四极杆包括所述基座，所述加工方法为所述双曲面四极杆的加工方法。以上结构设计及加工方法可使得四个双曲面极杆的单独加工变成一体化加工，可降低双曲面极杆加工难度、提高加工效率和产品成品率，同时可避免双曲面极杆加工过程以及装配过程中双曲面极杆与基座本体形成累计误差。
专利权项：1.离子阱用基座，该基座用于双曲面线性离子阱，所述基座包括基座本体（1）及设置在基座本体（1）上的通孔（4），其特征在于，所述通孔（4）为圆形孔；还包括设置于所述通孔（4）孔壁上的槽体（3），所述槽体（3）的数量为四条，且槽体（3）均为长度方向沿着所述通孔（4）轴线方向的条形槽，且四条槽体（3）环形均布于所述孔壁上；各槽体（3）均贯通基座本体（1）的两端。
百度查询： 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所 离子阱用基座、离子阱
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