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离子阱专利

发布时间:2020-10-29 14:36:04 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> 离子阱

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申请/专利权人:中国科学技术大学

申请日:2020-01-23

公开(公告)日:2020-10-27

公开(公告)号:CN211788898U

专利技术分类:.离子枪[2006.01]

专利摘要:一种离子阱,应用于离子阱技术领域,包括:磁场发生装置、光场发生装置和可变电场发生装置,磁场发生装置,用于产生离子所需的约束磁场,光场发生装置,用于产生形状可变的光场,可变电场发生装置,用于通过该光场,利用光伏效应,产生可变约束电场,该可变约束电场的电势分布与该光场分布一致,以通过该约束磁场和该可变约束电场分别操控每个离子,可任意束缚和操控每个离子。

专利权项:1.一种离子阱,其特征在于,包括:磁场发生装置、光场发生装置和可变电场发生装置;磁场发生装置,用于产生约束磁场;光场发生装置,用于产生形状可变的光场;可变电场发生装置,用于通过所述光场,利用光伏效应,产生可变约束电场,所述可变约束电场的电势分布与所述光场分布一致,以通过所述约束磁场和所述可变约束电场分别操控每个离子。

百度查询: 中国科学技术大学 离子阱

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