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具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管装置专利

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申请/专利权人:英飞凌科技奥地利有限公司

申请日:2019-01-16

公开(公告)日:2019-07-26

公开(公告)号:CN110060995A

专利技术分类:.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的[2006.01]

专利摘要:本发明公开了具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管装置。公开了一种晶体管装置和一种方法。该晶体管装置包括:布置在半导体主体中并且连接到漏极节点的漂移和漏极区;多个负载晶体管单元,其各自包括集成在半导体主体的第一区中的源极区;多个感测晶体管单元,其各自包括集成在半导体主体的第二区中的源极区;经由具有第一面积比电阻的第一源极导体电气连接到所述多个负载晶体管单元中的每一个的源极区的第一源极节点;以及经由具有第二面积比电阻的第二源极导体电气连接到所述多个感测晶体管单元中的每一个的源极区的第二源极节点。第二源极导体的面积比电阻大于第一源极导体的面积比电阻。

专利权项:1.一种晶体管装置,包括:布置在半导体主体(100)中并且连接到漏极节点(D)的漂移和漏极区(10);多个负载晶体管单元(201),其各自包括集成在半导体主体(100)的第一区(110)中的源极区(21);多个感测晶体管单元(202),其各自包括集成在半导体主体(100)的第二区(120)中的源极区(21);经由具有第一面积比电阻的第一源极导体(301)电气连接到所述多个负载晶体管单元(201)中的每一个的源极区(21)的第一源极节点(S1);以及经由具有第二面积比电阻的第二源极导体(302)电气连接到所述多个感测晶体管单元(202)中的每一个的源极区(21)的第二源极节点(S2),其中第二源极导体(302)的面积比电阻大于第一源极导体(302)的面积比电阻。

百度查询: 英飞凌科技奥地利有限公司 具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管装置

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