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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本公开揭露了一种用于形成3D存储器件的方法。该方法包括：在周边区域110中的基板100上形成第一绝缘层114，第一绝缘层114在基底100的周边区域110和核心区域120之间的边界附近具有斜坡；在基底100和第一绝缘层114的斜坡上形成交替导电绝缘体堆叠层250，交替导电绝缘体堆叠层250的横向部分沿着核心区域120中的基底100的顶表面延伸，交替导电绝缘体堆叠层250的倾斜部分沿着第一绝缘层114的斜坡延伸；以及形成多个接触以电接触交替导电绝缘体堆叠层250的倾斜部分中的多个导电层310。
主权项：1.一种形成三维3D存储器件的方法，包括：在周边区域中的基底上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述基底的所述周边区域和核心区域之间的边界附近具有斜坡；在所述基底和所述第一绝缘层的所述斜坡上形成交替导电绝缘体堆叠层，所述交替导电绝缘体堆叠层的横向部分沿着所述核心区域中的所述基底的顶表面延伸，所述交替导电绝缘体堆叠层的倾斜部分沿所述第一绝缘层的所述斜坡延伸；以及形成多个接触以电接触所述交替导电绝缘体堆叠层的所述倾斜部分中的多个导电层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器件及其制作方法
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