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申请/专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
摘要：本发明提供一种发光二极管外延结构，应用于发光二极管技术领域，所述外延结构从下向上的物质依次为：含铝氮化物衬底、第一半导体层、N型半导体层、第一多量子阱结构、第二多量子阱结构、第二P型半导体层、电子阻挡层、第三P型半导体层；其中，所述第二多量子阱结构至少包括：至少两个多量子阱和多量子势垒，所述多量子势垒包含：含铝和镓的第一氮化物，以及含铝的第二氮化物，且所述第二氮化物和所述第一氮化物交替生长。
主权项：1.一种发光二极管外延结构，其特征在于，所述外延结构从下向上的物质依次为：含铝氮化物衬底、第一半导体层、N型半导体层、第一多量子阱结构、第二多量子阱结构、第二P型半导体层、电子阻挡层、第三P型半导体层；其中，所述第二多量子阱结构至少包括：至少两个多量子阱和多量子势垒，所述多量子势垒包含：含铝和镓的第一氮化物，以及含铝的第二氮化物，且所述第二氮化物和所述第一氮化物交替生长。
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百度查询： 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种发光二极管外延结构及发光二极管
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