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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明提供一种埋入式栅极结构及其制造方法，该方法包括：提供一半导体衬底，于所述半导体衬底中形成有源区及隔离所述有源区的浅沟槽隔离结构；于所述有源区中形成有源沟槽及于所述浅沟槽隔离结构中形成隔离沟槽；所述有源沟槽包括形成于所述有源区中的前段有源沟槽及形成于所述前段有源沟槽底部的后段有源沟槽，其中所述后段有源沟槽的宽度大于所述前段有源沟槽的宽度；所述隔离沟槽包括形成于所述浅沟槽隔离结构中的前段隔离沟槽及形成于所述前段隔离沟槽底部的后段隔离沟槽，其中所述后段隔离沟槽的宽度大于所述前段隔离沟槽的宽度；于所述有源沟槽及所述隔离沟槽中形成栅极结构。通过本发明解决了现有晶体管无法同时兼顾性能和集成度的问题。
主权项：1.一种埋入式栅极结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：S1：提供一半导体衬底，并于所述半导体衬底中形成有源区，及隔离所述有源区的浅沟槽隔离结构；S2：于所述有源区中形成有源沟槽，及于所述浅沟槽隔离结构中形成隔离沟槽；所述有源沟槽包括形成于所述有源区中的前段有源沟槽，及形成于所述前段有源沟槽底部的后段有源沟槽，其中所述后段有源沟槽的宽度大于所述前段有源沟槽的宽度；所述隔离沟槽包括形成于所述浅沟槽隔离结构中的前段隔离沟槽，及形成于所述前段隔离沟槽底部的后段隔离沟槽，其中所述后段隔离沟槽的宽度大于所述前段隔离沟槽的宽度；以及S3：于所述有源沟槽及所述隔离沟槽中形成栅极结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 一种埋入式栅极结构及其制造方法
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