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摘要：描述了具有改进的盖的自对准栅极端盖SAGE架构、以及制造具有改进的盖的自对准栅极端盖SAGE架构的方法。在示例中，集成电路结构包括在第一半导体鳍状物之上的第一栅极结构。第二栅极结构在第二半导体鳍状物之上。栅极端盖隔离结构在第一栅极结构和第二栅极结构之间。栅极端盖隔离结构在较低k电介质壁上具有较高k电介质盖层。较高k电介质盖层包括铪和氧，并且具有70％或更大的单斜晶结晶度。
主权项：1.一种集成电路结构，包括：在衬底上的第一对鳍状物；在所述衬底上的第二对鳍状物，所述第二对鳍状物与所述第一对鳍状物横向间隔开；第一栅极端盖壁，与所述第一对鳍状物的与所述第二对鳍状物相对的一侧横向间隔开；第一栅极堆叠体，位于所述第一对鳍状物的上部部分之上，并与所述第一栅极端盖壁接触；第二栅极端盖壁，与所述第二对鳍状物的与所述第一对鳍状物相对的一侧横向间隔开；第二栅极堆叠体，位于所述第二对鳍状物的上部部分之上，并与所述第二栅极端盖壁接触；位于所述第一对鳍状物和所述第二对鳍状物之间的第三栅极端盖壁，所述第三栅极端盖壁与所述第一栅极堆叠体和所述第二栅极堆叠体接触；沟槽隔离结构，与所述第一对鳍状物的下部部分、所述第二对鳍状物的下部部分、所述第一栅极端盖壁的下部部分、所述第二栅极端盖壁的下部部分、和所述第三栅极端盖壁的下部部分横向相邻；在所述第一栅极端盖壁上的第一盖层；在所述第二栅极端盖壁上的第二盖层；以及横向位于所述第一盖层和所述第二盖层之间并与所述第一盖层和所述第二盖层接触的局部导电互连，所述局部导电互连在所述第一栅极堆叠体和所述第二栅极堆叠体上，并且所述局部导电互连垂直位于所述第三栅极端盖壁之上。
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百度查询： 英特尔公司 具有改进的盖的自对准栅极端盖（SAGE）架构
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