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摘要：本申请提供了一种对准标记结构及半导体结构，包括位于标记区内的：第一标记，位于第一器件层内，所述第一标记构成多个第一标记组区；位于第二器件层内的标记开口，所述第二器件层位于所述第一器件层表面，所述标记开口与所述第一标记组区一一对应，所述标记开口暴露出部分所述第一标记，所述标记开口在所述第一器件层表面的正投影落入所述第一标记组区内，且所述标记开口在所述第一器件层表面的正投影面积小于所述第一标记组区。本申请通过提高下层对准标记的图形密度均匀性，以提高套刻检测的准确性。
主权项：1.一种对准标记结构，其特征在于，包括位于标记区内的：第一标记，位于第一器件层内，所述第一标记构成多个第一标记组区；位于第二器件层内的标记开口，所述第二器件层位于所述第一器件层表面，所述标记开口与所述第一标记组区一一对应，所述标记开口暴露出部分所述第一标记，所述标记开口在所述第一器件层表面的正投影落入所述第一标记组区内，且所述标记开口在所述第一器件层表面的正投影面积小于所述第一标记组区。
全文数据：
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百度查询： 新存科技(武汉)有限责任公司 对准标记结构及半导体结构
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