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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本申请公开了一种堆叠纳米片环绕栅极场效应晶体管及其制备方法。该堆叠纳米片环绕栅极场效应晶体管，包括：衬底；位于所述衬底上的第一源漏极和第二源漏极；栅极，位于所述衬底上，位于所述第一源漏极和所述第二源漏极之间，且与所述第一源漏极和所述第二源漏极之间均形成有一空气侧墙；多个硅材料纳米片层，互相间隔地设置于所述栅极中，每一所述硅材料纳米片层分别连接所述第一源漏极和所述第二源漏极，每一所述硅材料纳米片层平行于所述衬底的上表面。本申请实施例的堆叠纳米片环绕栅极场效应晶体管，结构简单，寄生电容较小，工作速率较高。
主权项：1.一种堆叠纳米片环绕栅极场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的第一源漏极和第二源漏极；栅极，位于所述衬底上，位于所述第一源漏极和所述第二源漏极之间，且与所述第一源漏极和所述第二源漏极之间均形成有一空气侧墙；多个硅材料纳米片层，互相间隔地设置于所述栅极中，每一所述硅材料纳米片层分别连接所述第一源漏极和所述第二源漏极，每一所述硅材料纳米片层平行于所述衬底的上表面。
全文数据：
权利要求：
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