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申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
摘要：本发明公开一种通道全环绕半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括数个栅极结构以及一个多连通通道层。所述栅极结构具有相同的一延伸方向，且每个栅极结构具有相对的第一端与第二端。多连通通道层则完全环绕所述数个栅极结构，且多连通通道层的平面方向垂直于上述延伸方向，以使所述数个栅极结构的通道都相互连通。
主权项：1.一种通道全环绕半导体装置，其特征在于，该通道全环绕半导体装置包括：多个栅极结构，所述多个栅极结构具有相同的延伸方向，且每个所述栅极结构具有相对的第一端与第二端；多连通通道层，完全环绕所述多个栅极结构，且所述多连通通道层的平面方向垂直于所述多个栅极结构的所述延伸方向，以使所述多个栅极结构的通道相互连通；源极区与漏极区，分别环绕每个所述栅极结构的所述第一端与所述第二端；以及多个绝缘间隔层，分别位于所述源极区与所述栅极结构之间以及位于所述漏极区与所述栅极结构之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 通道全环绕半导体装置及其制造方法
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