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申请/专利权人：江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司
申请日：2021-02-01
公开（公告）日：2021-11-19
公开（公告）号：CN214800001U
专利技术分类：..应用外加电磁场的，例如高频能或微波能（H05H1/26优先）[2006.01]
专利摘要：一种ICP激发装置，供在镀膜腔室内产生激发电磁场，以电离化学单体气体而形成电感耦合等离子体。该ICP激发装置包括：一介质板，其中所述介质板适于被设置于该镀膜腔室的外侧，用于密封该镀膜腔室的激发窗口；一感应线圈组，其中所述感应线圈组被对应地设置于所述介质板的外侧；以及一射频源，其中所述射频源可通电地连接于所述感应线圈组，用于向所述感应线圈组施加驱动电压，使得所述感应线圈组在所述射频源的驱动下透过所述介质板向该镀膜腔室提供激发电磁场，以提供均匀性较好的电磁场分布，便于进一步提高所述腔室内的等离子体的密度和均匀性。
专利权项：1.ICP激发装置，供在镀膜腔室内产生激发电磁场，以电离化学单体气体而形成电感耦合等离子体，其特征在于，其中所述ICP激发装置包括：一介质板，其中所述介质板适于被设置于该镀膜腔室的外侧，用于密封该镀膜腔室的激发窗口；一感应线圈组，其中所述感应线圈组被对应地设置于所述介质板的外侧；以及一射频源，其中所述射频源可通电地连接于所述感应线圈组，用于向所述感应线圈组施加驱动电压，使得所述感应线圈组在所述射频源的驱动下透过所述介质板向该镀膜腔室提供激发电磁场。
百度查询： 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 ICP激发装置
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