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摘要：本发明涉及光刻技术领域，公开一种Lift‑off用光刻胶结构的制备方法，在光刻胶结构显影后，进行一次无掩膜曝光，无掩膜曝光采用光刻胶敏感波长光进行，曝光剂量为800～1000mjcm2。在显影后进行一次无掩膜曝光，使得光化学反应更充分地进行，有效提升光刻胶结构的稳定性，再结合三段式烘烤，拓宽Lift‑off蒸镀膜层烘烤温度范围，提高所镀膜层致密性和环境耐受能力，显著增强抗变形能力，产品质量和良率都得到稳定提高。
主权项：1.一种Lift-off用光刻胶结构的制备方法，其特征在于，在光刻胶结构显影后，进行一次无掩膜曝光。
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百度查询： 安徽光智科技有限公司 Lift-off用光刻胶结构的制备方法
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