买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:蚌埠学院
摘要:本发明公开一种基于钴胺素铁氰化钾复合膜传感器的制备方法及其应用,包括以下步骤:S1:将预处理后玻碳电极作为工作电极、铂丝电极为辅助电极、AgAgCl电极为参比电极,利用循环伏安法,于0.1molLH2SO4溶液中,在扫描电位范围为0~1.5V、扫描速度为100mVs的条件下,活化扫描至循环伏安图形稳定;S2:取出S1处理后的玻碳电极,置于含有0.008~0.012molL铁氰化钾、6.0×10‑5~1×10‑4molL钴胺素、0.04~0.06molL氯化钾的混合溶液中,静置2min,在扫描电位范围为0~1.1V、扫描速度为50mVs的条件下,循环伏安扫描15圈,即得。本发明首次利用铁氰化钾与钴胺素联合修饰传感器,钴胺素中的Co3+与铁氰化钾中的CN‑配位体自组装成金属有机框架结构,提高了复合膜的比表面积,实现对L‑半胱氨酸的特异性识别、快速检测。
主权项:1.一种基于钴胺素铁氰化钾复合膜传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:将预处理后玻碳电极作为工作电极、铂丝电极为辅助电极、AgAgCl电极为参比电极,利用循环伏安法,于0.1molLH2SO4溶液中,在扫描电位范围为0~1.5V、扫描速度为100mVs的条件下,活化扫描至循环伏安图形稳定;S2:取出S1处理后的玻碳电极,置于含有0.008~0.012molL铁氰化钾、6.0×10-5~1×10-4molL钴胺素、0.04~0.06molL氯化钾的混合溶液中,静置2min,在扫描电位范围为0~1.1V、扫描速度为50mVs的条件下,循环伏安扫描15圈,即得所述基于钴胺素铁氰化钾复合膜传感器。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 蚌埠学院 一种基于钴胺素/铁氰化钾复合膜传感器的制备方法及其应用
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。