龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：意法半导体有限公司
摘要：本公开涉及用于制造晶圆级芯片尺寸封装WLCSP的方法。从生产晶圆的顶表面向下延伸穿过划线区域到达仅部分穿过半导体衬底的深度，开放沟槽。在执行凸块化工艺之前，将第一柄状件附接到生产晶圆的顶表面。然后，减薄半导体衬底的背表面，以到达沟槽并在由沟槽界定的每个集成电路位置处形成晶圆级芯片尺寸封装。然后，将第二柄状件附接到减薄的半导体衬底的底表面，并且移除第一柄状件以在顶表面处暴露凸块下金属化焊盘。然后，执行凸块化工艺，以在每个暴露的凸块下金属化焊盘处形成焊球。
主权项：1.一种方法，包括：生产前端制程FEOL衬底晶圆，所述FEOL衬底晶圆包括具有第一厚度和背表面的半导体衬底晶圆以及预金属化介电层；在所述预金属化介电层之上生产后端制程BEOL结构，所述BEOL结构包括第一钝化层，所述第一钝化层包括用于接合焊盘的开口；在所述第一钝化层之上形成再分布层，其中所述再分布层将所述接合焊盘电连接到凸块下金属化焊盘；形成第二钝化层，所述第二钝化层包括用于所述凸块下金属化焊盘的开口，并由此制造生产晶圆；开放从所述生产晶圆的顶表面向下延伸到仅部分地穿过所述半导体衬底晶圆的深度的沟槽；在所述凸块下金属化焊盘处执行凸块化工艺之前，将第一柄状件附接到所述生产晶圆的顶表面；在所述生产晶圆的所述半导体衬底晶圆的背表面处从第一厚度减薄至第二厚度，到达所述沟槽并形成多个晶圆级芯片尺寸封装；将第二柄状件附接到所述多个晶圆级芯片尺寸封装的底表面；移除所述第一柄状件，以暴露所述凸块下金属化焊盘；以及执行所述凸块化工艺，以在每个暴露的凸块下金属化焊盘处形成焊球。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体有限公司 用于制造晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号