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申请/专利权人：株式会社迪思科
申请日：2021-11-15
公开（公告）日：2022-05-17
公开（公告）号：CN114512421A
专利技术分类：.专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置[2006.01]
专利摘要：提供扩展装置和扩展方法，能够将在被加工物上产生未被分割的区域的可能性抑制得较低。扩展装置对粘贴有形成有作为分割起点的改质层的被加工物的扩展片进行扩张而对被加工物进行分割，该扩展装置包含：扩张机构，其对扩展片进行扩张；以及冷却单元，其以使扩展片的环状框架的内缘与被加工物的外缘之间的区域的温度比扩展片的比被加工物的外缘靠内侧的区域的温度低的方式进行冷却。
专利权项：1.一种扩展装置，其对粘贴有形成有分割起点的被加工物的片材进行扩张而对被加工物进行分割，其中，该扩展装置具有：扩张机构，其对该片材进行扩张；以及冷却单元，其以使该片材的未粘贴有被加工物的区域的温度比该片材的粘贴有被加工物的区域的温度低的方式进行冷却。
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