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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供一种GOI测试电路结构，包括形成于一衬底内的多个呈条状且平行设置的AA区，相邻的AA区之间形成有STI，衬底上依次形成有栅氧化层、多晶硅栅极和多个计数结构，所有计数结构平行设置，每个计数结构对应设置在一个STI上方，每个计数结构靠近一个AA区设置，并用于对AA区中的热点进行定位，可以实现电性测试热点的清晰定位，并为物理剥层以及FIB切截面制备TEM样品时提供热点定位的标准，大大改善了GOI测试失效分析的效率，切中目标位置截面的成功率，还在制程上可实现性强，具有很高的实用价值。
主权项：1.一种GOI测试电路结构，其特征在于，包括形成于一衬底内的多个呈条状且平行设置的AA区，相邻的所述AA区之间形成有STI，所述衬底上依次形成有栅氧化层、多晶硅栅极和多个计数结构，所有所述计数结构平行设置，且每个所述计数结构对应设置在一个所述STI上方，每个所述计数结构靠近一个所述AA区设置，并用于对所述AA区中的热点进行定位，其中，所述计数结构的延伸方向与所述AA区的延伸方向相同，且每个所述计数结构均为由多个计数连接孔定向排列组成的点状标尺；在从所述STI的一端向另一端延伸的方向上具有N个标位，相邻两个标位之间的间距均为A，其中，A的取值范围为0.1μm~0.2μm；在非五的倍数标位处，每个标位处均设置有一个计数连接孔，且非五的倍数标位处的所有所述计数连接孔均在一直线上；在五的倍数标位处，每个标位处放置至少一个计数连接孔，每个所述标位处的所有所述计数连接孔的连线与所述直线垂直，每个相邻的五的倍数标位处的所述计数连接孔的数量不同，以及设置位置也不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种GOI测试电路结构
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