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申请/专利权人：海南师范大学
摘要：本发明公开了一种基于GOI或SOI上的高效耦合波导及其制备方法，包括：衬底、绝缘低折射率介质层、本征单晶硅或单晶锗层、锥形波导和扇形波导；在衬底上依次生长绝缘低折射率介质层、本征单晶硅或单晶锗层；在本征单晶硅或单晶锗层上制备锥形波导；锥形波导上制备扇形波导；锥形波导的厚度为0.1～0.4μm，锥形的发散角为3～12°，锥形波导的长度为50～500μm；扇形波导半径为50～500μm，发散角为6～36°，扇形波导厚度从0至0.8μm渐变。本发明使光源或波导同基于GOI或SOI上的波导耦合效率得到提升，大幅提升了光子集成输入和输出的激光效率和工作亮度。
主权项：1.一种基于GOI或SOI上的高效耦合波导，其特征在于，包括：衬底、绝缘低折射率介质层、本征单晶硅或单晶锗层、锥形波导和扇形波导；在所述衬底上依次生长所述绝缘低折射率介质层、所述本征单晶硅或单晶锗层；在所述本征单晶硅或单晶锗层上制备锥形波导；在所述锥形波导上制备扇形波导；锥形波导的厚度为0.1～0.4μm，锥形的发散角为3～12°，锥形波导的长度为50～500μm；所述扇形波导半径为50～500μm，发散角为6～36°，扇形波导厚度从0至0.8μm渐变。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 海南师范大学 一种基于GOI或SOI上的高效耦合波导及其制备方法
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