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申请/专利权人：上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种SOI晶圆的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：1顶层硅晶圆与底层硅晶圆经过键合，得到键合晶圆；2采用砂轮对步骤1所得键合晶圆的顶层硅晶圆边缘进行形貌修整，然后对形貌修整后的顶层硅晶圆进行减薄处理，得到所述SOI晶圆。本发明通过在减薄处理前对键合晶圆的顶层硅晶圆边缘进行形貌修整，可以获得不同的边缘形貌，此时，修整后的边缘形貌的底端边沿与底层硅晶圆保持键合，避免了后续减薄处理中晶圆边缘翘起造成的品质缺陷，同时保证了键合晶圆的整体键合力。
主权项：1.一种SOI晶圆的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：1顶层硅晶圆与底层硅晶圆经过键合，得到键合晶圆；2采用砂轮对步骤1所得键合晶圆的顶层硅晶圆边缘进行形貌修整，然后对形貌修整后的顶层硅晶圆进行减薄处理，得到所述SOI晶圆。
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百度查询： 上海超硅半导体股份有限公司 重庆超硅半导体有限公司 一种SOI晶圆的制备方法
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