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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学
摘要：本发明公开一种EDAC加固微处理器单粒子翻转截面的测试方法，步骤包括：S1.配置被测EDAC加固微处理器的测试程序，并测试测试程序完成一次运行所用的时间、运行使用到的被测EDAC加固微处理器SRAM部件的面积；S2.根据测试得到的时间、面积初始化高能粒子注量率；S3.按照高能粒子注量率不断注入高能粒子辐照被测EDAC加固微处理器，并启动被测EDAC加固微处理器的测试程序，统计测试程序未在时间内运行完成以及运行结果错误的软错误次数，直至总注入量达到预设值；S4.根据统计的软错误次数以及总注入量计算被测EDAC加固微处理器的单粒子翻转截面。本发明具有实现方法简单、测试效率以及精度高等优点。
主权项：1.一种EDAC加固微处理器单粒子翻转截面的测试方法，其特征在于，步骤包括：S1.配置用于测试被测EDAC加固微处理器的测试程序，并测试所述测试程序完成一次运行所用的时间T、所述测试程序运行使用到的被测EDAC加固微处理器SRAM部件的面积S；S2.根据测试得到的所述测试程序完成一次运行所用的时间T、所述测试程序运行使用到的被测EDAC加固微处理器SRAM部件的面积S初始化高能粒子注量率F；S3.按照所述高能粒子注量率F不断注入高能粒子辐照被测EDAC加固微处理器，并启动被测EDAC加固微处理器的所述测试程序，统计测试程序未在所述时间T内运行完成以及运行结果错误的软错误次数，直至总注入量达到预设值；S4.根据步骤S3统计的所述软错误次数以及总注入量计算被测EDAC加固微处理器的单粒子翻转截面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 EDAC加固微处理器单粒子翻转截面的测试方法
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