龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：昆明理工大学
摘要：本发明公开一种高延伸率SnBi系合金的制备方法，属于电子封装材料技术领域。本发明将SnBi合金进行真空熔炼，熔炼条件为500‑800℃，保温1h，在随后降温至300‑400℃时放入水中冷却；冷却后的样品进行室温压缩处理，压缩率在50‑80%之间；最后将压缩后的样品进行退火处理，在120℃保温1h，制成高延伸率样品；本发明所述制备方法可细化SnBi合金基体组织，从而大幅提高该合金的延伸率，改善SnBi合金基体的脆性问题。
主权项：1.一种高延伸率SnBi系合金的制备方法，其特征在于，包括以下几个步骤：（1）将SnBi合金在真空状态下熔炼；熔炼结束后，将样品在300-400℃取出，放入水中冷却；（2）将熔炼好的样品在室温下进行压缩处理；（3）将压缩好的样品进行退火处理，最终制备出高延伸率SnBi合金；步骤（2）中压缩速率为1×10-4-1×10-3s-1，压缩率为50-80%；步骤（3）中退火条件为：在120℃下保温1h。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明理工大学 一种高延伸率SnBi系合金的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号