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申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本发明提供降低重掺砷器件端正向压降VF异常的方法，涉及重掺器件正向压降控制方法技术领域，在预定氩气流量下，随着晶棒拉制长度的增加，坩埚转速与炉压在等径拉制不同长度时均能够达到预定的比值，以降低晶棒的氧含量，进而氧与空位结合的概率降低，不易形成体微缺陷，且使得氧含量径向分布均匀，进而降低器件端正向压降VF异常的概率。
主权项：1.一种降低重掺砷器件端正向压降VF异常的方法，其特征在于：在晶棒拉制等径阶段时，在预定氩气流量下，随着晶棒拉制长度的增加，坩埚转速与炉压在等径拉制不同长度时，达到预定的比值，以降低晶棒的氧含量。
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百度查询： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 降低重掺砷器件端正向压降VF异常的方法
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