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申请/专利权人:苏州威达智科技股份有限公司
摘要:本发明公开的一种半导体晶圆Bump三维形貌测量方法,包括设定扫描轨迹,按照扫描轨迹对晶圆表面进行扫描,获取光谱亮度信息与高度信息,根据光谱亮度信息与高度信息转换为对应的亮度图、高度图与点云信息;扫描晶圆尺寸,生成默认值为0的深度图M,并通过扫描得到单条光谱图像信息,生成单条的深度图m,将深度图m与深度图M进行图像拼接,得到三维点云形貌图;通过三维点云形貌图获取晶圆三维图像信息,并进行图像处理,计算晶圆中Bump各维度的尺寸信息;将Bump各维度的尺寸信息进行汇总显示晶圆三维形貌信息图,并生成信息图表。
主权项:1.一种半导体晶圆Bump三维形貌测量方法,其特征在于,包括:设定扫描轨迹,按照扫描轨迹对晶圆表面进行扫描,获取光谱亮度信息与高度信息,根据光谱亮度信息与高度信息转换为对应的亮度图、高度图与点云信息;扫描晶圆尺寸,生成默认值为0的深度图M,并通过扫描得到单条光谱图像信息,生成单条的深度图m,将深度图m与深度图M进行图像拼接,得到三维点云形貌图;通过三维点云形貌图获取晶圆三维图像信息,并进行图像处理,计算晶圆中Bump各维度的尺寸信息;将Bump各维度的尺寸信息进行汇总显示晶圆三维形貌信息图,并生成信息图表。
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