龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明公开了一种具有纵向超结子层的耐压区，包括源区和漏区，以及位于源区和漏区之间的M个超结子层；M个超结子层沿着源区至漏区方向依次分布，相邻的超结子层之间通过阻挡层分离；M为大于1的整数。本申请中各个超结子层的击穿电压可以独立设计，且整个耐压区的最终击穿电压由各个超结子层叠加而成，为耐压层的击穿电压的设计提供了设计灵活性，且使得最终的比导通电阻与击穿电压呈现线性关系，有效地改善了现有技术中随着击穿电压增大，比导通电阻对应升高的矛盾关系。
主权项：1.一种具有纵向超结子层的耐压区，其特征在于，包括源区和漏区，以及位于源区和漏区之间的M个超结子层；M个超结子层沿着源区至漏区方向依次分布，相邻的超结子层之间通过阻挡层分离；M为大于1的整数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 希力微电子(深圳)股份有限公司 一种具有纵向超结子层的耐压区
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号