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申请/专利权人：希力微电子(深圳)股份有限公司
摘要：本发明公开了一种具有纵向超结子层的耐压区，包括源区和漏区，以及位于源区和漏区之间的M个超结子层；M个超结子层沿着源区至漏区方向依次分布，相邻的超结子层之间通过阻挡层分离；M为大于1的整数。本申请中各个超结子层的击穿电压可以独立设计，且整个耐压区的最终击穿电压由各个超结子层叠加而成，为耐压层的击穿电压的设计提供了设计灵活性，且使得最终的比导通电阻与击穿电压呈现线性关系，有效地改善了现有技术中随着击穿电压增大，比导通电阻对应升高的矛盾关系。
主权项：1.一种具有纵向超结子层的耐压区，其特征在于，包括源区和漏区，以及位于源区和漏区之间的M个超结子层；M个超结子层沿着源区至漏区方向依次分布，相邻的超结子层之间通过阻挡层分离；M为大于1的整数；所述超结子层包括超结N型掺杂区和超结P型掺杂区，所述超结N型掺杂区和超结P型掺杂区的中心连线平行于源区设置；所述阻挡层包括P型阻挡层和N型阻挡层，相邻的超结P型掺杂区之间设置有P型阻挡层，相邻的超结N型掺杂区之间设置有N型阻挡层；所述超结N型掺杂区的掺杂浓度为1015-16cm-3，超结P型掺杂区的掺杂浓度为1015-16cm-3；所述P型阻挡层的掺杂浓度为1018-19cm-3，所述N型阻挡层的掺杂浓度为1019-20cm-3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 希力微电子(深圳)股份有限公司 一种具有纵向超结子层的耐压区
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