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申请/专利权人：安徽光智科技有限公司
摘要：本发明涉及电极制备领域，具体是一种方形CZT探测器电极的制备方法。本发明提供的方法在方形CZT探测器电极的制备过程中，在进行阳极镀膜时，预先采用光刻胶保护4个侧面及阴极面，能够避免晶体侧面被镀到金属而导致短路问题，并保护了阴极的抛光面，利于后续阴极面的镀膜；本方法亦可应用于先进行阴极镀膜再进行阳极镀膜的步骤。本发明所述方法不仅解决了晶体侧面被镀到金属导致短路的问题，而且不会对已镀好的电极造成污染，同时没有晶体崩边或碎裂风险，工艺步骤得到简化，提高了生产效率。实验表明，本发明所述方法得到的电极的综合合格率达95％，崩边率达3％左右。
主权项：1.一种方形CZT探测器电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在方形CZT晶体的阴极面和4个侧面形成光刻胶保护层后，对所述方形CZT晶体的阳极面依次进行正性光刻、镀金属和剥离，所述方形CZT晶体的阳极面形成图形阳极并且所述光刻胶保护层被去除；在所述方形CZT晶体的阳极面和4个侧面形成光刻胶保护层后，对所述方形CZT晶体的阴极面进行镀金属，再去除所述方形CZT晶体上的光刻胶，得到方形CZT探测器电极；或者，在方形CZT晶体的阳极面和4个侧面形成光刻胶保护层后，对所述方形CZT晶体的阴极面进行镀金属，再去除所述方形CZT晶体上的光刻胶；在所述方形CZT晶体的阴极面和4个侧面形成光刻胶保护层后，对所述方形CZT晶体的阳极面依次进行正性光刻、镀金属和剥离，所述方形CZT晶体的阳极面形成图形阳极并且所述光刻胶保护层被去除，得到方形CZT探测器电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽光智科技有限公司 一种方形CZT探测器电极的制备方法
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