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申请/专利权人：中广核工程有限公司;深圳中广核工程设计有限公司;上海大学
摘要：本发明涉及一种CZT晶体及其后处理方法、CZT晶片、核辐射探测器件及其制备方法。上述CZT晶体的后处理方法，包括如下步骤：采用移动加热器法生长CZT晶体；将CZT晶体先在870℃～930℃下进行原位退火处理50h～70h，然后在50h～80h内将温度降至400℃～420℃，最后在400℃～420℃下保温40h～50h。上述CZT晶体的后处理方法利用热迁移机制消除热应力、减少Te夹杂和Te沉淀，获得的CZT晶体质量高、Te夹杂等相关缺陷密度减小，最终提高CZT晶体用于探测器时的光电性能。
主权项：1.一种CZT晶体的后处理方法，其特征在于，包括如下步骤：采用移动加热器法生长CZT晶体；将所述CZT晶体先在870℃～930℃下进行原位退火处理50h～70h，然后在50h～80h内将温度降至400℃～420℃，最后在400℃～420℃下保温40h～50h；所述采用移动加热器法生长CZT晶体的步骤包括：以纯度均不低于99.99999％的Cd、Zn、Te及In为原料，合成CZT多晶料和富Te的多晶料；将籽晶、所述富Te的多晶料和所述CZT多晶料从下至上依次置于反应容器中；采用移动加热器法，在850℃～950℃下生长400h～450h获得所述CZT晶体。
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权利要求：
百度查询： 中广核工程有限公司 深圳中广核工程设计有限公司 上海大学 CZT晶体及其后处理方法、CZT晶片、核辐射探测器件及其制备方法
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