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申请/专利权人：北方夜视技术股份有限公司
摘要：本发明公开了一种背照式EBAPS的制作方法，采用背照式APS图像传感芯片结合真空光电阴极的方案，光电阴极能够将微弱光信号转换为电子信号，经过高压电场的加速，高能电子轰击CMOS芯片表面，在CMOS中发生倍增，CMOS将接收的电子信号放大和转换生成数字信号；因此，EBAPS器件既有传统微光夜视器件像增强器很好的低照性能，也具备CMOS图像传感器高帧率、高分辨率等特性。解决了目前传统微光夜视器件无法数字化输出，低照度CMOS器件低照性能差，以及EMCCD等数字化微光夜视器件帧率低、分辨率低的问题。
主权项：1.一种背照式EBAPS，其特征在于：包括：陶瓷2、阴极透镜5、背照式APS图像传感芯片6；所述陶瓷2一侧壁上设置有若干个金属针脚1，陶瓷2另一侧壁上设置有阴极环3，阴极环3内设置有铟锡合金4，铟锡合金4比阴极环3内侧的高度高2～5mm，铟锡合金4的长度为5～10mm，阴极环3处的铟锡合金4之间间隔为2～4mm；阴极透镜5上蒸镀Cr层9，Cr层9的厚度为300nm，阴极透镜5的边缘蒸镀封接层10，封接层10为依次蒸镀Cr、Cu、Ag组成的层结构，封接层10层结构的Cr、Cu、Ag厚度分别是100～300nm、300～700nm、200～600nm，阴极透镜5的中心区域有多碱阴极膜层12；背照式APS图像传感芯片6表面设置有钝化层11，钝化层11的厚度为80～1000nm；陶瓷2上设置有焊接区域8，焊接区域8点上纳米Ag电子浆料点7，纳米Ag电子浆料点7的直径为3mm，焊接区域8上的纳米Ag电子浆料点7间隔为2mm；背照式APS芯片6焊接在瓷2的焊接区域8处；阴极透镜5封接在陶瓷2上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北方夜视技术股份有限公司 一种背照式EBAPS的制作方法
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