Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

一种AlN-ScN超晶格材料及其制备方法 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

摘要:本发明涉及半导体技术领域。本发明提供了一种AlN‑ScN超晶格材料及其制备方法。本发明的制备方法,通过控制AlN薄膜层、ScN薄膜层的叠加层数,结合提供范德华相互作用的二维材料插入层以及高温退火,得到AlN‑ScN超晶格材料。对AlN‑ScN超晶格结构的不同晶相进行势能面扫描,确定不同AlN薄膜层、ScN薄膜层的叠加层数条件下的最稳定晶相;进行AlN薄膜层、ScN薄膜层的叠加层数控制的AlN‑ScN超晶格结构生长;本发明可以实现大范围AlSc组分比的可控晶相AlN‑ScN材料,并且可以实现一种新的纤锌矿‑岩盐矿混合结构AlN‑ScN材料。

主权项:1.一种AlN-ScN超晶格材料,其特征在于,包括:衬底,所述衬底表面依次交替设有AlN层、ScN层;其中,所述AlN层包括多个依次叠加的AlN薄膜层,所述ScN层包括多个依次叠加的ScN薄膜层;所述AlN薄膜层的叠加次数为1~3次;所述ScN薄膜层的叠加次数为1~3次。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种AlN-ScN超晶格材料及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。