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申请/专利权人：纳瑞科学仪器(江苏)有限公司

摘要：一种跨跃芯片及厚金属FIB连线工艺，步骤如下：第一步，前期加工处理：将钝化液滴注到待加工位置，吹干；使用显微镜观看样品表面是否平坦；在显微镜下观看样品有没有瑕疵；第二步，后期加工：将第一步处理好的样品，送入聚焦离子束机台进行标准高度调节；准备气体耗材；将加工所需气体加热至工作温度；用聚焦离子束去掉钝化物质及氧化层，露出待连接处金属；用聚焦离子束的Pt进行连接；将样品台Stage倾斜45观看Pt连线是否连接到位。其优点是：本发明钝化液沉积速度快，表面平整；厚金属FIB连线电阻更小；可以避开IC表面所有的裸露金属，从而可以从任何一个位置进行精准的连线，缩短加工时间，且可以减小连接电阻至现有技术根本不能达到的数值。

主权项：1.一种跨跃芯片及厚金属FIB连线工艺，其特征在于：包括如下步骤：第一步，前期加工处理：将适量的钝化液吸入到胶头滴管，对准样品上的待加工位置滴一滴，等待3秒；用橡胶球把钝化液吹干；重复3-4次；2）在高倍显微镜下观看样品表面是否平坦：填充钝化液后两芯片跨厚金属应高低落差在1um以内；由跨芯片连接方案填充后检查两芯片中间待连接区域与芯片表面高度差应在1um以内；跨厚金属连线填充后检查厚金属顶部与芯片表面钝化层被钝化液覆盖厚高度差应在1um以内；3）在显微镜下观看样品有没有瑕疵：检查平整度、是否有裂纹、操作过程中是否对芯片造成损伤或划痕；即在聚焦离子束机台FIB上，将样品台Stage倾斜至45度观看样品，需要跨越的待加工位置是否填充平整以及是否平坦；如不符合要求需返回上述步骤1）；合格则进行下一步操作；第二步，后期加工：1）将第一步处理好的样品，送入聚焦离子束机台FIB，进行标准高度调节；2）准备好用于去除氧化层、Pt导体的气体耗材；将加工所需气体加热至工作温度，确保无杂气；3）用聚焦离子束机台FIB产生的聚焦离子束，去掉需要连接的加工位置处的钝化物质及氧化层，露出两个芯片的待连接处的金属；4）用聚焦离子束的Pt对两个芯片裸露出来的金属进行连接，从而实现两个芯片的跨越厚金属层的连接；5）所有的操作完成后，需要将样品台Stage倾斜到45度角，观看Pt连线是否连接到位：连线是否平整，无断层；如果正常则完成；如果异常则重复上一步骤即可。

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