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申请/专利权人：英诺赛科(苏州)半导体有限公司
摘要：本实用新型涉及半导体芯片制造技术领域，尤其涉及一种FIB比对分析载物台，包括基座，所述基座上设有平面样品放置结构和截面样品放置结构，所述平面样品放置结构包括第一平面样品放置区和第二平面样品放置区，所述截面样品放置结构包括第一截面样品放置区和第二截面样品放置区。本实用新型提供的FIB比对分析载物台，能够在载物台上同时放置平面样品和截面样品，且能够在平面样品放置结构和截面样品放置结构分别放置正常样品和失效样品进行比对，解决了现有技术中载物台只能进行样品平面或截面的单一分析的缺陷，同时实现样品平面和样品截面的制备分析，节约样品装载时间，提升载物台的使用效率。
主权项：1.一种FIB比对分析载物台，其特征在于，包括基座，所述基座上设有平面样品放置结构和截面样品放置结构，所述平面样品放置结构包括第一平面样品放置区和第二平面样品放置区，所述截面样品放置结构包括第一截面样品放置区和第二截面样品放置区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 FIB比对分析载物台
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