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申请/专利权人：环球晶圆股份有限公司
摘要：本公开提供用于确定生产外延用硅衬底的柴可拉斯基法生长条件的适合性的方法。所述方法涉及通过凭借红外去极化使晶片成像来评估从不同生长条件例如，杂质分布下生长的锭切割的衬底。对于每一外延晶片产生红外去极化参数。能够比较所述参数以确定哪些生长条件非常适合于生产外延及或外延后热处理用衬底。
主权项：1.一种用于确定生产外延用硅衬底的柴可拉斯基生长条件的适合性的方法，所述方法包括：加热包括硅进料的坩埚以使硅熔体形成在所述坩埚中；使硅种晶与所述硅熔体接触，所述硅熔体具有第一杂质分布；抽出所述硅种晶以生长第一单晶硅锭；从所述第一单晶硅锭切割第一多个硅衬底；使所述第一多个硅衬底中的硅衬底的前表面与含硅气体接触，所述含硅气体分解以在所述硅衬底上形成外延硅层以形成第一外延晶片；通过红外去极化使所述第一外延晶片成像以确定第一红外去极化参数；加热包括硅进料的坩埚以使第二硅熔体形成在所述坩埚中；使硅种晶与所述第二硅熔体接触，所述第二硅熔体具有第二杂质分布，所述第一熔体的所述第一杂质分布不同于所述第二熔体的所述第二杂质分布；抽出所述硅种晶以生长第二单晶硅锭；从所述第二单晶硅锭切割第二多个硅衬底；使所述第二多个硅衬底中的硅衬底的前表面与含硅气体接触，所述含硅气体分解以在所述硅衬底上形成外延硅层以形成第二外延晶片；通过红外去极化使所述第二外延晶片成像以确定第二红外去极化参数；及基于所述第一红外去极化参数及所述第二红外去极化参数来确定生产外延用衬底的所述第一杂质分布及所述第二杂质分布的适合性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 环球晶圆股份有限公司 用于确定生产外延用衬底的柴可拉斯基生长条件的适合性的方法
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