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申请/专利权人：默克专利有限公司
申请日：2018-01-22
公开（公告）日：2024-03-12
公开（公告）号：CN110198936B
专利技术分类：.含3个或更多个杂环[2006.01]
专利摘要：本发明涉及咔唑衍生物，尤其是用于电子器件中的咔唑衍生物。本发明还涉及用于制备本发明化合物的方法以及包含所述化合物的电子器件。
专利权项：1.一种化合物，所述化合物是由式VIa、VIb、VIc、VId、VIe或VIf的结构表示的化合物， 其中所用的符号如下：W1是O、S、CR12或SiR12；R1在每种情况下相同或不同并且是H；D；F；CN；具有1个、2个、3个或4个碳原子的直链的烷基基团；或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系；或这些体系的组合；同时，两个或更多个相邻的R1基团一起可形成单环的芳族环系；Ar在每种情况下相同或不同并且是具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；R2在每种情况下相同或不同并且是H；D；F；CN；或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R3基团取代的芳族或杂芳族环系；或这些体系的组合；同时，两个或更多个相邻的R2取代基一起也可形成单环的芳族环系；R3在每种情况下相同或不同并且选自：H，D，F，CN，具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其中一个或多个氢原子可被D、F或CN代替；同时，两个或更多个相邻的R3取代基一起也可形成单环的芳族环系；并且l是0、1、2、3、4、5或6，m是0、1、2、3或4并且o是0、1或2。
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