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申请/专利权人：兆易创新科技集团股份有限公司
摘要：本发明实施例公开了一种3DTLC闪存存储器及其数据写入方法和装置。该3DTLC闪存存储器包括单层存储单元缓冲数据块和三层存储单元存储数据块，所述数据写入方法包括：接收数据写入命令；根据所述数据写入命令将对应的数据以单层式存储模式写入所述单层存储单元缓冲数据块中；在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据量为预设数据量时，选取一所述三层存储单元存储数据块，并将所述预设数据量的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块。本发明实施例解决了在掉电等异常情况下3DTLC闪存存储器中浮栅电荷量容易受到影响而导致数据稳定性降低的问题，改善了掉电等异常情况下的数据的稳定性。
主权项：1.一种3DTLC闪存存储器的数据写入方法，其特征在于，所述3DTLC闪存存储器包括单层存储单元缓冲数据块和三层存储单元存储数据块，所述数据写入方法包括：接收数据写入命令；根据所述数据写入命令将对应的数据以单层式存储模式写入所述单层存储单元缓冲数据块中；在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据量为预设数据量时，选取一所述三层存储单元存储数据块，并将所述预设数据量的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块；所述预设数据量的数据包括预设组的数据，所述在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据量为预设数据量时，选取一所述三层存储单元存储数据块，并将所述预设数据量的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块，包括：在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据为所述预设组的数据时，选取一所述三层存储单元存储数据块，将所述预设组的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块；在后续写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据与先前写入的最后一组的数据的和为所述预设组的数据时，选取一所述三层存储单元存储数据块，将后续写入的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块。
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百度查询： 兆易创新科技集团股份有限公司 一种3D TLC闪存存储器及其数据写入方法和装置
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