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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明属于半导体光电材料生产设备技术领域，尤其涉及一种优化的HVPE‑GaN镓舟反应器及GaN晶体生长方法。本发明所述反应器包括镓舟组，镓舟组内部设置有GaCl载气输送管道，镓舟组内部包括三个主要腔室：HCl气体分配腔、GaCl气体反应腔以及GaCl气体输送腔；HCl进气口与HCl气体分配腔连通，GaCl气体输送腔通过GaCl载气输送管道上的GaCl进气口与GaCl出气口连通；GaCl气体反应腔分别与HCl气体分配腔、GaCl气体输送腔连通，GaCl气体反应腔以及GaCl气体输送腔连通的底部为镓液区。通过提高镓舟内HCl气体的利用效率，降低反应腔中额外的HCl气体，提高生长的GaN晶体质量，延长设备使用寿命，保障工作人员身体健康和环境质量。
主权项：1.一种优化的HVPE-GaN镓舟反应器，其特征在于，包括镓舟组，所述镓舟组上设有添加镓液口、HCl进气口；所述镓舟组内部设置有GaCl载气输送管道，所述GaCl载气输送管道的两端分别设置有GaCl载气进气口、GaCl出气口；所述镓舟组内部包括三个主要腔室，分别为HCl气体分配腔、GaCl气体反应腔以及GaCl气体输送腔；所述HCl进气口与HCl气体分配腔连通，所述GaCl气体输送腔通过GaCl载气输送管道上的GaCl进气口与GaCl出气口连通；所述GaCl气体反应腔分别与HCl气体分配腔、GaCl气体输送腔连通，所述GaCl气体反应腔以及GaCl气体输送腔连通的底部为镓液区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种优化的HVPE-GaN镓舟反应器及GaN晶体生长方法
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