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申请/专利权人：中国矿业大学

摘要：本发明公开了一种评估VCO相位噪声灵敏度的方法，包括以下步骤：S1，利用仿真软件测量振荡器单元VCO模块的本征RMS_Jitter1；S2，对目标元器件并联电流源器件，并进行PSS+Pnoise仿真，得到RMS_Jitter2；S3，对不同位置的目标元器件分别并联电流源器件，得到RMS_Jitter3、……RMS_JitterN；S4，将RMS_Jitter2、RMS_Jitter3、……RMS_JitterN分别与RMS_Jitter1的值进行比较，找到对晶体管影响最大的目标元器件，对此目标元器件进行优化。使用该仿真方法简单，可以找到不同VCO架构中不同器件噪声对RMS_Jitter的恶化影响程度，并且可以针对性的进行相位噪声优化，提供了具体电路的相位噪声优化方向，具备一定的工程价值。

主权项：1.一种评估VCO相位噪声灵敏度的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，利用仿真软件测量振荡器单元VCO模块的本征均方根抖动RMS_Jitter1；S2，对目标元器件并联电流源器件，并进行PSS+Pnoise仿真，得到均方根抖动RMS_Jitter2；S3，对不同位置的目标元器件分别并联电流源器件，得到均方根抖动RMS_Jitter3、……RMS_JitterN；S4，将RMS_Jitter2、RMS_Jitter3、……RMS_JitterN分别与RMS_Jitter1的值进行比较，找到差别最大的，确定此对应的目标元器件对整个振荡器单元的相位噪声影响最大，并对此目标元器件进行优化；所述电流源器件是交流电流源isin器件或是电压控制型电流源VCCS；所述isin器件的频率是振荡器频率；所述目标元器件是PMOS管或NMOS管；所述振荡器单元包括第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第一NMOS管M3、第二NMOS管M4、第三NMOS管M5，交叉耦合的第一PMOS管M1和第二PMOS管M2漏极分别接差分输出Vo-和Vo+，栅极分别接差分输出Vo+和Vo-，源极共同接电压源Vdd；第一NMOS管M3和第二NMOS管M4组成差分对管，其栅极分别接差分输入Vi+和Vi-，其漏极分别接差分输出Vo-和Vo+，其源极相接并与第三NMOS管M5的漏极相连；第三NMOS管M5的栅极接电压源Vb，源极接地；电流源器件并联在PMOS管或NMOS管的源极和漏极之间；并联isin器件用于测试单个频率噪声下对目标源器件相位噪声的影响；并联VCCS用于测试全频带噪声下对目标元器件相位噪声的影响。

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