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申请/专利权人：联合微电子中心有限责任公司
摘要：本发明涉及一种背向集成激光器件，包括基底、基底内设的波导结构、有源激光器件，有源激光器件通过半导体材料层与基底键合，有源激光器件上部设有第一金属电极，基底内设有第二金属电极结构，第二金属电极结构位于波导结构两侧且与波导结构不接触；第二金属电极结构上方全部或部分覆盖有有源层。本发明还涉及上述激光器件的制造方法，包括，对SOI晶圆进行前段工艺，形成耦合波导，在激光器耦合波导两侧沉积互联金属；将SOI晶圆与载体晶圆键合；去除SOI晶圆上衬底，将BOX层减薄至目标值；制作金属层电极；与外延片键合；对外延片进行图形化处理。本发明的一种背向集成激光器件的制造方法，降低器件电阻，提高器件效率。
主权项：1.一种背向集成激光器件的制造方法，其特征在于，包括，第一步、对SOI晶圆进行前段工艺，于氧化硅层内形成波导结构，在硅光后段工艺中，在波导结构两侧挖槽沉积互联金属层；第二步、将SOI晶圆与载体晶圆进行键合；去除SOI晶圆上硅衬底层，于互联金属层相应位置挖槽至互联金属层，并制作金属层电极，并与所述波导两侧的所述互联金属导通形成第二金属电极结构；第三步、将基底二氧化硅层面与外延片键合；形成有源激光器件，于有源激光器件上端制作金属电极形成第一金属电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联合微电子中心有限责任公司 一种背向集成激光器件及其制造方法
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