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申请/专利权人：深圳先进技术研究院
摘要：本发明提供了涉及一种Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ族量子点及其合成方法以及QD‑LED器件。该方法包括以下步骤：将I‑VI族量子点与含有III族元素的前驱体和表面活性剂的溶液混合进行反应，使I族元素和III族元素相互扩散，实现部分置换，得到Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ族量子点；I族元素选自银和或铜，VI族元素选自硫、硒中的一种或两种的组合，III族元素选自铟、镓和砷中的一种或两种以上的组合。本发明还提供了上述方法合成的Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ族量子点以及由其制成的QD‑LED器件。本发明所提供的Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ族半导体量子点具有尺寸均匀、纯度高的优点，将其用于制备蓝光QD‑LED的空穴功能层，能够提升蓝光QD‑LED的发光性能。
主权项：1.一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点的合成方法，其包括以下步骤：将I-VI族量子点与含有III族元素的前驱体和表面活性剂的溶液混合进行反应，使I族元素和III族元素相互扩散，实现部分置换，得到Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点，其中，I族元素、VI族元素、III族元素的摩尔比为1:1:2；其中，所述I族元素选自铜，所述VI族元素为硫，所述III族元素为镓所述I-III-VI族量子点是通过以下步骤制备的：将乙酰丙酮镓溶解于含有油胺和三正辛基磷的溶液中，得到溶液D；在惰性气氛下，将溶液D的温度升高至反应温度，将硫化亚铜量子点溶液C加入溶液D中进行反应；将反应后的混合溶液水浴冷却至室温，通过清洗、离心、提纯，最后分散于正辛烷中制成含有I-III-VI族量子点的溶液。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳先进技术研究院 一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点及其合成方法以及QD-LED器件
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