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IPM可靠性测试方法、装置、系统及计算机存储介质 

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申请/专利权人:广东汇芯半导体有限公司

摘要:本发明公开一种IPM可靠性测试方法,包括:向待测IPM施加第一预设偏置电压,获取IPM的第一漏电流并据此判断其是否失效;若有效,则将测试温度设置为第一预设温度并施加第二预设偏置电压;持续第二预设时长后,恢复至常温静态测试环境;向IPM施加第一预设偏置电压,获取IPM的第二漏电流;基于第二漏电流与IPM的极限漏电流,判断IPM是否失效;若有效,则将测试温度设置为第二预设温度测试湿度设置为预设湿度并施加第三预设偏置电压;持续第三预设时长后,恢复至常温静态测试环境;恢复至常温静态测试环境后,向IPM施加第一预设偏置电压,获取IPM的第三漏电流;基于第三漏电流与IPM的极限漏电流,判断IPM是否失效。

主权项:1.一种IPM可靠性测试方法,其特征在于,包括:在常温静态测试环境下,向待测IPM施加第一预设偏置电压;待持续第一预设时长后,获取所述IPM的第一漏电流;基于所述第一漏电流与所述IPM的极限漏电流,判断所述IPM是否失效,包括:将所述第一漏电流与所述极限漏电流进行比对;若所述第一漏电流大于所述极限漏电流,则表示所述IPM失效;若所述第一漏电流小于等于所述极限漏电流,则表示所述IPM有效;若所述IPM有效,则将所述IPM的测试温度设置为第一预设温度并向所述IPM施加第二预设偏置电压,以将所述IPM的当前测试环境调整为高温高压测试环境;待持续第二预设时长后,将所述IPM的当前测试环境恢复至常温静态测试环境;在恢复至常温静态测试环境后,重新向所述IPM施加第一预设偏置电压;待持续第一预设时长后,获取所述IPM的第二漏电流;基于所述第二漏电流与所述IPM的极限漏电流,判断所述IPM是否失效,包括:将所述第二漏电流与所述极限漏电流进行比对;若所述第二漏电流大于所述极限漏电流,则表示所述IPM失效;若所述第二漏电流小于等于所述极限漏电流,则表示所述IPM有效;若所述IPM有效,则再将所述IPM的测试温度设置为第二预设温度、测试湿度设置为预设湿度并向所述IPM施加第三预设偏置电压,以将所述IPM的当前测试环境调整为高温高湿高压测试环境;待持续第三预设时长后,将所述IPM的当前测试环境恢复至常温静态测试环境;在恢复至常温静态测试环境后,重新向所述IPM施加第一预设偏置电压;待持续第一预设时长后,获取所述IPM的第三漏电流;基于所述第三漏电流与所述IPM的极限漏电流,判断所述IPM是否失效,包括:将所述第三漏电流与所述极限漏电流进行比对;若所述第三漏电流大于所述极限漏电流,则表示所述IPM失效;若所述第三漏电流小于等于所述极限漏电流,则表示所述IPM有效。

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权利要求:

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