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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明提出了一种半导体紫光紫外激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述下限制层的Al元素的峰值位置和AlSi元素比例的峰值位置往衬底方向和有源层方向均呈下降趋势。本发明通过设计半导体激光器中下限制层中Al元素和AlSi元素比例往衬底方向和有源层方向的变化趋势，从而增大下限制层的折射率差异，降低光场耗散，降低内部光学损耗，抑制光场模式泄漏到衬底，提升远场图像FFP质量。
主权项：1.一种半导体紫光紫外激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述下限制层的Al元素的峰值位置和AlSi元素比例的峰值位置往衬底方向和有源层方向均呈下降趋势。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种半导体紫光紫外激光器
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