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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本申请提供一种三维存储器及其制造方法，该三维存储器包括：堆叠层，位于半导体层上；存储沟道结构，穿过堆叠层，并包括第一沟道层；以及选择栅结构，位于堆叠层的背离半导体层的一侧；选择沟道结构，穿过选择栅结构，并包括第二沟道层，其中，第一沟道层的远离半导体层的第一端部与第二沟道层的靠近半导体层的第二端部接触。本申请提供的三维存储器的第一沟道层和第二沟道层可直接接触连接，能够避免引入沟道插塞，从而能够改善编程干扰问题。
主权项：三维存储器，包括：堆叠层，位于半导体层上；存储沟道结构，穿过所述堆叠层，并包括第一沟道层；以及选择栅结构，位于所述堆叠层的背离所述半导体层的一侧；选择沟道结构，穿过所述选择栅结构，并包括第二沟道层，其中，所述第一沟道层的远离所述半导体层的第一端部与所述第二沟道层的靠近所述半导体层的第二端部接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器及其制造方法、以及存储器系统
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