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申请/专利权人：艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
摘要：本发明涉及一种用于处理光电器件的方法，该光电器件在生长衬底10上设置有功能半导体层堆叠，其中有源层30布置在第一掺杂层20与第二掺杂层31之间。硬掩膜沉积在第二层31上并且被结构化，以使第二层31的表面区域33暴露，而暴露的表面区域33相对于第二层的在硬掩膜的剩余部分下方的表面凹陷，低至小于600nm。将掺杂剂扩散到第二层31的暴露区域处的材料中，以在暴露的表面区域33下方的有源层30的区域60内进行量子阱混合。至少在第二层31的未暴露区域31a上有第一接触材料50。
主权项：1.一种用于处理光电器件的方法，包括：-在生长衬底10上设置功能半导体层堆叠，所述功能半导体层堆叠具有被配置成用于发光的有源层30，所述有源层30布置在第一掺杂层20与第二掺杂层31之间，所述第二掺杂层具有厚度；-在所述第二层31上沉积硬掩膜；-将所述硬掩膜结构化，以使所述第二层31的表面区域33暴露，而暴露的表面区域33相对于所述第二层的在所述硬掩膜的剩余部分下方的表面凹陷，并且所述第二层31的在暴露的表面区域33处的材料的剩余厚度小于600nm，并且特别地在200nm与500nm之间；-将掺杂剂扩散到所述第二层31的暴露区域处的材料中，以在暴露的表面区域33下方的所述有源层30的区域60内进行量子阱混合；-至少在所述第二层31的未暴露区域31a上施加第一接触材料50。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司 用于处理光电器件的方法及光电器件
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