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申请/专利权人：广州市尤特新材料有限公司
摘要：本发明提供了一种IGZO靶材的烧结制备方法及其应用，包括以下步骤：（1）Ga2O3、ZnO、In2O3、氧化镧、氧化铈、氧化钕按原子比In：Ga：Zn：La：Ce:Nd=1:1:1：0.02：0.03：0.05混合，得到混合粉体；（2）将混合粉体、分散剂、粘结剂、消泡剂和去离子水加入球磨机中，球磨、喷雾干燥，得到造粒粉；（3）将造粒粉采用模压‑等静压成型方式，得到IGZO靶材素坯；（4）将IGZO靶材素坯进行烧结；（5）将炉内的温度降至900‑950℃后，随炉冷却，停止通入氧气，最后室温出炉，得到IGZO靶材。本发明制得的IGZO靶材透光率高，电学性能好，具有极高的市场价值。
主权项：1.一种IGZO靶材的烧结制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）Ga2O3、ZnO、In2O3、氧化镧、氧化铈、氧化钕按原子比In：Ga：Zn：La：Ce:Nd=1:1:1：0.02：0.03：0.05混合，得到混合粉体；（2）将混合粉体、分散剂、粘结剂、消泡剂和去离子水加入球磨机中，球磨36h，得到IGZO混合浆料，喷雾干燥，得到造粒粉；（3）将造粒粉采用模压-等静压成型方式，45-50MPa模压3-5min，脱模，220-250MPa等静压成型，得到IGZO靶材素坯；（4）将IGZO靶材素坯进行烧结，以0.4-0.6℃min升温速率，升温至600-650℃，使IGZO靶材素坯完全脱脂；再以1-1.5℃min升温速率，升温到800-900℃，氧气氛围，保温7-9h，再以1-1.5℃min升温速率，升温到1400-1500℃，氧气氛围，保温2-3h；（5）将炉内的温度以3-5℃min降至900-950℃后，随炉冷却，停止通入氧气，最后室温出炉，得到IGZO靶材。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州市尤特新材料有限公司 一种IGZO靶材的烧结制备方法及其应用
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