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衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质 

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申请/专利权人:株式会社国际电气

摘要:衬底处理装置的控制部对第1衬底搬送臂进行控制,使其执行将加载互锁室内的衬底向衬底处理室内搬送的第1搬送处理、和将在设置于搬送室内的衬底冷却单元载置的衬底向加载互锁室内搬送的第3搬送处理,对第2衬底搬送臂进行控制,使其执行将衬底处理室内的衬底向衬底冷却单元搬送并载置于衬底冷却单元的第2搬送处理,对第1衬底搬送臂以及第2衬底搬送臂进行控制,使得在第1搬送处理和第3搬送处理中施加于衬底的加速度的最大值比第2搬送处理中施加于衬底的加速度的最大值大。

主权项:1.衬底处理装置,具有:衬底搬送装置,其以通过分别驱动第1衬底搬送臂和第2衬底搬送臂从而搬送衬底的方式构成;搬送室,在所述搬送室的内部配置有衬底冷却单元以及所述衬底搬送装置,所述衬底冷却单元以对所述衬底进行冷却的方式构成;至少1个衬底处理室,所述衬底处理室以与所述搬送室相邻的方式配置,并构成为进行对所述衬底进行加热的处理;加载互锁室,其以与所述搬送室相邻的方式配置;以及控制部,其对所述衬底搬送装置进行控制,所述控制部构成为能够进行:对所述第1衬底搬送臂进行控制,使其执行将所述加载互锁室内的所述衬底向所述衬底处理室内搬送的第1搬送处理、和将载置到所述衬底冷却单元的所述衬底向所述加载互锁室内搬送的第3搬送处理,对所述第2衬底搬送臂进行控制,使其执行将所述衬底处理室内的所述衬底向所述衬底冷却单元搬送并载置于所述衬底冷却单元的第2搬送处理,对所述第1衬底搬送臂以及所述第2衬底搬送臂进行控制,使得在所述第1搬送处理和所述第3搬送处理中施加于所述衬底的加速度的最大值比在所述第2搬送处理中施加于所述衬底的加速度的最大值大,在所述第2搬送处理中施加于所述衬底的加速度的最大值被设定为根据所述衬底处理室中的所述衬底的处理温度而不同。

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权利要求:

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