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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明公开了一种GaN基肖特基势垒二极管及其制备方法和应用。本发明的GaN基肖特基势垒二极管的组成包括依次层叠设置的衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和钝化层，还包括P‑GaN盖帽层、阳极金属电极、阳极金属场板和阴极金属电极。本发明的GaN基肖特基势垒二极管具备高击穿电压、高饱和电流和低开启电压，瞬变耐受性较高，耐压和抗击穿性能强，可靠性高，适合进行大规模推广应用。
主权项：1.一种GaN基肖特基势垒二极管，其特征在于，组成包括依次层叠设置的衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和钝化层，还包括P-GaN盖帽层、阳极金属电极、阳极金属场板和阴极金属电极；所述P-GaN盖帽层由多个独立的圆饼状结构构成，且圆饼状结构贯穿钝化层与AlGaN势垒层接触；所述阳极金属电极与GaN沟道层、AlGaN势垒层、钝化层、P-GaN盖帽层和阳极金属场板接触；所述阳极金属场板设置在P-GaN盖帽层远离AlGaN势垒层的表面，且部分覆盖P-GaN盖帽层；所述阴极金属电极与AlGaN势垒层和钝化层接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 一种GaN基肖特基势垒二极管及其制备方法和应用
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